IT之家11月8日消息，韩媒ZDNETKorea道称，三星电子内部已于三季度决定调整平泽P4制造综合体一期（Phase1）的产能分配，从纯NAND调整为NAND+DRAM。
这也可从该生产线的内部代号名称更改中看出来：该产线原名P4F，尾部的F即指Flash闪存；而现名是P4H，H是Hybrid的简写，显示产线不只支持一个大类的半导体工艺。
▲三星平泽园区平泽P4一期现已部分进驻NAND闪存生产设备，三星电子目前计划到年底将该产线NAND生产能力提升至每月1万片晶圆，不过由于市场的不确定性，到明年中才有可能为V9QLCNAND等先进产品作进一步投资。
而在DRAM生产部分，平泽P4一期未来有望具备3~4万片晶圆的月产能，工艺方面则是引入三星目前最为先进的1a、1bnm（IT之家注：即14nm级与12nm级），以应对竞争对手的产能扩张，并在三星内部其它DRAM产线工艺升级之时保证供应充足。
三星电子平泽P4制造综合体总共包含四期生产线，其中三期DRAM产线即将开建，二期Foundry代工产线则暂缓。
